%0 Journal Article
%T SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计
%A 蒋文静
%A 欧文
%A 明安杰
%A 刘占锋
%A 袁烽
%J 红外与毫米波学报
%D 2014
%X 在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10-3V/K,等效功率噪声(NETD)可减小至43mK(f/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性.
%K 绝缘衬底上的硅
%K 二极管
%K 填充系数
%K 红外焦平面
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=130003&flag=1