%0 Journal Article
%T 微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究
%A 苗凤娟
%A 陶佰睿
%A 胡志高
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 2014
%X 采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法，在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物，然后分别在600℃，650℃，700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列，并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示，退火温度越高，Si-MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大，同时BNT/Si-MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向，尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点，且剩余极化强度可达93.8μC/cm2.
%K 铁电薄膜
%K 微纳薄膜阵列
%K 硅微通道板
%K 钕掺杂太酸铋
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=130027&flag=1