%0 Journal Article
%T In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂
%A 刘新智
%A 徐勇刚
%A 俞国林
%A 林铁
%A 郭少令
%A 褚君浩
%A 张永刚
%J 红外与毫米波学报
%D 2014
%X 利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱，根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动，提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|，发现Δ0随浓度增加而增大，|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明，|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.
%K InGaAs/InAlAs量子阱
%K 零场自旋分裂
%K 塞曼分裂
%K 有效g因子
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=130030&flag=1