%0 Journal Article
%T 氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应
%J 红外与毫米波学报
%D 2007
%X 理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.
%K 密度矩阵方法
%K 氮化物耦合量子阱
%K 内建电场
%K 二次谐振波产生
%K 氮化物
%K 耦合量子阱
%K 二次谐波产生
%K 极化率
%K 极化效应
%K COUPLINGQUANTUMWELL
%K NITRIDE
%K GENERATION
%K SPONTANEOUSPOLARIZATION
%K PIEZOELECTRICITY
%K 阱宽
%K 大尺寸
%K 垒宽
%K 小尺寸
%K 选择
%K 依赖关系
%K 非单调
%K 掺杂
%K 结构
%K 系数
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20070461&flag=1