%0 Journal Article
%T InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2007
%X 采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5～5.5eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S.Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λv5→Λc6(或Lv4.5→Lc6)和Λv6→Λc6(或Lv6→Lc6)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.
%K InAsSb
%K 光学常数
%K 椭偏光谱
%K 液相外延
%K 红外
%K 薄膜的光学性质
%K 研究
%K OPTICALPROPERTIES
%K THINFILMS
%K 方向
%K 能量简并
%K 鞍点
%K 对应
%K 布里渊区
%K 发生
%K 电子跃迁
%K 实验数据
%K 结果
%K 临界点
%K 计算
%K 拟合
%K 模型
%K 度理论
%K 子带间跃迁
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20070102&flag=1