%0 Journal Article
%T 化学沉积法低温生长锰钴镍薄膜结晶性及红外椭偏光谱研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%X 使用化学沉积方法,在600℃温度下,成功制备锰钴镍(MnxCoyNi3-x-y)O4(MCN)薄膜.传统的固熔烧结工艺合成MCN材料需要的温度条件约为1050~1200℃,与这一温度相比,本文的方法使合成温度降低了许多.随着退火后处理温度从600℃升高到900℃,MCN薄膜的晶粒尺寸大小从20nm增大到50nm.同时还利用红外椭偏光谱测量获得MCN薄膜的介电常数和吸收系数.
%K X射线衍射
%K 原子力显微镜
%K 红外椭偏光谱
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200806100&flag=1