%0 Journal Article
%T Bi2VO5.5铁电薄膜的制备及电学性质研究
%A 张振伦
%A 邓红梅
%A 郭鸣
%A 杨平雄
%A 褚君浩
%J 红外与毫米波学报
%D 2010
%X 利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景.
%K 钒酸铋薄膜
%K 金属/铁电薄膜/半导体结构
%K 溶胶凝胶
%K 电学特性
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=29358&flag=1