%0 Journal Article
%T 碲镉汞p^＋-on-n长波异质结探测器的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%X 报道了HgCdTep^-on-o长波异质结焦平面器件的研究结果．采用由分子柬外延(MBE)和原位掺杂技术生长的P^-on-n异质结材料，通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺，得到了HgCdTep^-on-o长波异质结焦平面器件．根据，I-V实验结果和暗电流理论，拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响．且获得了器件的响应光谱和探测率。
%K 异质结焦平面器件碲镉汞MBE暗电流器件性能湿法腐蚀长波结焦工艺
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200406107&flag=1