%0 Journal Article
%T HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%X 对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试，分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象．通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况，获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值．实验结果还表明：HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角，该倾角随失配度的增大而增大；当衬底失配度较小时，非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态，而是处于应力部分释放状态；相反，当外延层晶格失配产生的应力全部释放时，外延层包含着较大的失配位错，摇摆曲线半峰宽展宽较大。
%K 外延层衬底晶格失配分子束外延晶格匹配外延生长二维弛豫配位CdTe薄膜
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20040580&flag=1