%0 Journal Article
%T 在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%X 对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜，再对此薄膜进行晶化处理，以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中，Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量，薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时，晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向，其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．
%K YIG石榴石YIG薄膜磁光性能磁性能二氧化硅衬底铈掺杂激光材料
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20040468&flag=1