%0 Journal Article %T CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算 %J 红外与毫米波学报 %D 2004 %X 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度.引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数,相对于传统方法,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数.本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时,对比分析了基于LSDA和GGA计算所得的结果. %K 密度泛函理论快速搜索法FLAPW能带结构碲化镉碲化汞半导体材料 %U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20040467&flag=1