%0 Journal Article
%T 128元非致冷氧化钒红外探测器的制作
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%X 采用新工艺在氮化硅衬底上制备了室温时电阻温度系数为-0.021K-1的氧化钒薄膜,以此为基础,利用光刻和反应离子刻蚀工艺在硅衬底上制作了128元氧化钒红外探测器.为了降低探测器敏感元与衬底间的热导,设计制作了自支撑的微桥结构阵列.测试结果显示探测器的响应率和探测率在8～12μm的长波红外波段处分别达到104V/W和2×108cmHz1/2W-1.
%K 红外探测器微桥结构微桥阵列氧化钒薄膜电阻温度系数
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20040224&flag=1