%0 Journal Article
%T 不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%X 摘要对B^注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n-on-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析．与n-on-p平面结器件相比，原位掺杂的n-on-p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗一面积值(RoA)．通过与实验数据拟合，从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的RoA和在不同偏压下的暗电流，得到一些相关的材料和器件性能参数．
%K 光伏探测器暗电流碲镉汞材料异质结分子束外延技术铟掺杂红外探测器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20040221&flag=1