%0 Journal Article
%T 纳米WS2和MoS2在西安脉冲堆中辐照损伤的计算机模拟
%A 王立鹏
%A 潘孝兵
%A 朱养妮
%A 朱广宁
%A 江新标
%A 凤仪
%A 张学斌
%A 张忠兵
%J 核技术
%P 110204-110204
%D 2013
%R DOI:10.11889/j.0253-3219.2013.hjs.36.110204
%X 采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析，确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布；对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算，采用典型的热中子反应堆的能谱加权，基于平均位移Kerma因子的方法，利用NJOY程序从最新的ENDF/BVII.1评价库中获取各元素的69群损伤截面，对各元素原子离位截面进行了计算，最终得到了各样品的原子离位数率。计算结果显示，纳米材料WS2和MoS2最大原子离位数率可达1.51?10?8DPA?s?1，且快中子对原子离位数率贡献要大于热中子。
%K 西安脉冲堆
%K 中子辐照损伤
%K 原子离位率
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract104.shtml