%0 Journal Article
%T 散射中子对带屏蔽体的252Cf同位素中子源辐射场的影响
%A 刘立兴
%A 夏晓彬
%A 盛尹祥子
%A 陈峰
%J 核技术
%P 100201-100201
%D 2013
%R DOI:10.11889/j.0253-3219.2013.hjs.36.100201
%X 同位素中子源和中子刻度室在实际使用中通常带有屏蔽体。本文采用蒙特卡罗计算与实验结合的方法，研究了散射中子对带屏蔽体的252Cf同位素中子源辐射场的影响。通过计算带屏蔽体的252Cf中子源和裸252Cf中子源的中子能谱、中子注量率和中子周围剂量当量率，分析了屏蔽体产生的散射中子对辐射场的影响。依据蒙特卡罗计算所获得的有、无源室墙壁、地面和屋顶条件下的中子注量率和中子周围剂量当量率，分析了源室墙壁、地面和屋顶所产生的散射中子对辐射场的影响。计算结果表明，该中子辐射场的平均中子通量-周围剂量当量转换因子由裸252Cf中子源的385pSv?cm2降至280pSv?cm2，源室的墙壁、地面和屋顶产生的散射中子对中子注量率与中子周围剂量当量率的影响与距中子源的距离平方成正比。中子周围剂量当量率仪的实验测量结果与理论计算结果符合良好，验证了计算结果的可靠性。本研究为利用非标准同位素中子源中子参考辐射场进行辐射防护仪表的校准提供了一种实践可行的方法，具有很好的实用性。
%K 中子辐射场
%K 屏蔽体
%K 散射中子
%K 蒙特卡罗方法
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract85.shtml