%0 Journal Article
%T X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究
%A 吴正新
%A 何承发
%A ？陆
%A 妩？
%A 郭旗
%A ？艾尔肯阿不列木
%A 于新
%A ？张
%A 磊？
%A 邓伟
%A ？郑齐文
%J 核技术
%P 60201-60201
%D 2013
%R DOI:10.11889/j.0253-3219.2013.hjs.36.060201
%X 本文以光子与物质的相互作用机制为基础，论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布，通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型，计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明：当X射线为30–300keV时，界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果，当金的厚度为0–10mm时，剂量增强因子随金的厚度增大；当金的厚度超过10mm后，剂量增强因子随金厚度的增加而减少。
%K 蒙特卡罗方法
%K 剂量增强因子
%K 界面
%K 能量沉积
%K 体元
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract15.shtml