%0 Journal Article
%T 双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究
%A 鲁艺
%A 邱东
%A 李俊杰
%A 邹德惠
%A 荣茹
%J 核技术
%P 90403-90403
%D 2015
%R 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.090403
%X 瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点，采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器，通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化，获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明，晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下，瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。
%K 双极晶体管
%K 瞬时辐照效应
%K 脉冲中子辐照
%K 直流增益
%K 中子注量
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract474.shtml