%0 Journal Article
%T 闪烁体中子探测器读出ASIC-MaPMT_v10性能测试的设计与实现
%A 濮亚男
%A 曾云
%A 赵豫斌
%A 李怀申
%A 吴文欢
%A 陈少佳
%J 核技术
%P 20402-20402
%D 2015
%R 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.020402
%X 中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)工程通用粉末衍射谱仪(GeneralPurposePowderDiffractometer,GPPD)使用二维位置灵敏型闪烁体中子探测器(Position-sensitiveScintillationNeutronDetector,SSND)来获取中子击中位置和时间信息。MaPMT_v10是由中国科学院高能物理研究所电子学组专门为闪烁体探测器前端电子学读出研发的一款专用集成电路(Application-specificIntegratedCircuit,ASIC)。为了使该芯片更快地应用于CSNS工程项目中，设计了针对该芯片的测试电路板。该电路板既能在电子学实验室对MaPMT_v10进行各项性能测试，又能直接连接光电倍增管，与探测器组进行联合调试。本文介绍了MaPMT_v10的测试电路板，并给出了该芯片积分非线性(Integralnonlinearity,INL)、噪声等测试的方法和结论。利用本文搭建的测试平台，得到了MaPMT_v10可靠的性能测试结果，该芯片正常稳定和运行可靠。
%K 闪烁体中子探测器
%K 核电子学
%K 专用集成电路
%K 积分非线性
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract353.shtml