%0 Journal Article
%T GaN与Si器件作为辐伏电池换能单元性能比较
%A 王关全
%A 杨玉青
%A 胡睿
%A 刘业兵
%A 熊晓玲
%A 罗顺忠
%J 核技术
%P 20401-20401
%D 2015
%R 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.020401
%X 利用63Ni和3H源等分别辐照两种可作为辐伏电池换能单元的GaN基和Si基PiN结型器件，比较了他们的输出电性能结果，以及两种器件的温度、辐照性能等。结果表明，GaN器件开路电压Voc比Si基器件有非常明显的提高，而短路电流Isc有较大下降；GaN基结型器件在高温和高能辐照条件下的性能比Si基结型器件有较大优势。
%K 辐伏同位素电池
%K GaN器件
%K Si器件
%K 电输出性能
%U http://www.j.sinap.ac.cn/hejishu/CN/abstract/abstract351.shtml