%0 Journal Article
%T 基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应
%A 姜文龙
%A 贾萍
%A 汪津
%A 丁桂英
%J 吉林大学学报(工学版)
%P 836-840
%D 2013
%X 讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应.在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系.结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%.当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%.
%K 半导体技术
%K 电阻率变化率
%K 电流变化率
%K 电阻磁敏效应
%U http://xuebao.jlu.edu.cn/gxb/CN/Y2013/V43/I03/836