%0 Journal Article
%T nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率
%A 刘明强
%A 杨小儒
%A 郭震宁
%J 华侨大学学报(自然科学版)
%D 2009
%R 10.11830/ISSN.1000-5013.2009.02.0143
%X 在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系.结果表明,在强受限中,三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系.随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小,三阶极化率都有不同程度的增强.
%K 量子点
%K 无限深势阱
%K 三阶极化率
%K nc-Si/SiO2
%U http://www.hdxb.hqu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200902007