%0 Journal Article
%T 石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极测定水样中痕量铜离子
%A 方艳红
%A 连慧婷
%A 陈国华
%J 华侨大学学报(自然科学版)
%D 2011
%R 10.11830/ISSN.1000-5013.2011.05.0529
%X 采用控制电位电解法,在玻碳电极(GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol.L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强于裸GCE及CS/GCE.在优化实验条件下,Cu2+的浓度在1.0~80.0μmol.L-1范围内与阳极溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.999 6,检出限为12.66 nmol.L-1,所制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性.
%K 石墨烯
%K 壳聚糖
%K 阳极溶出伏安法
%K Cu2+
%U http://www.hdxb.hqu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201105012