%0 Journal Article
%T 利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
%A 吕晓敏
%A 王加贤
%A 邱伟彬
%J 华侨大学学报(自然科学版)
%D 2013
%R 10.11830/ISSN.1000-5013.2013.02.0139
%X 利用SiCl4/Ar/H2气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀GaAs材料,研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响.结果表明:在反应气体SiCl4,Ar和H2的流量分别为2,4,1 mL？min-1,样品室压力为0.400 Pa,RF1和RF2的功率分别为120,500 W的最佳优化参数下,得到的刻蚀速率为486 nm？min-1,且同时满足垂直而光滑的台面.利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10 min后,得到大面积的光滑表面,其粗糙度为0.20 nm.
%K GaAs
%K 干法刻蚀
%K 电感耦合等离子体
%K SiCl4
%K 光滑表面
%U http://www.hdxb.hqu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201302005