%0 Journal Article
%T PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究
%A 王应民
%A 杜楠
%A 蔡莉
%A 李禾
%A 程国安
%J 材料工程
%P 71-75
%D 2007
%X 使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。
%K Si(111)
%K ZnO薄膜
%K 等离子增强化学气相沉积
%K 反射光谱
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2007/V0/I11/71