%0 Journal Article
%T 成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响
%A 杨阳
%A 赵宏生
%A 刘中国
%A 张凯红
%A 李自强
%J 材料工程
%P 58-61
%D 2011
%X 以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al2O3,SiO2和Y2O3作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响。结果表明成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小。在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用。
%K 碳化硅
%K 多孔陶瓷
%K 成型温度
%K 包混工艺
%K 复合添加
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2011/V0/I5/58