%0 Journal Article
%T 双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池
%A 刘石勇
%A 曾湘波
%A 彭文博
%A 姚文杰
%A 谢小兵
%A 杨萍
%A 王超
%A 王占国
%J 材料工程
%D 2011
%X 采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-ResolutionTransmissionElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystallinesilicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3~5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.
%K 纳米硅
%K 氢稀释比
%K 光学带隙
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2011/V0/I8/5