%0 Journal Article
%T 先驱体转化制备ZrO2改性SiC陶瓷的氧化行为研究
%A 王生学
%A 李伟
%A 陈朝辉
%J 材料工程
%P 45-50
%D 2012
%X 采用先驱体转化法,以聚碳硅烷、二乙烯基苯和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,结合XRD,SEM和EDS能谱等测试方法,研究ZrO2的添加对材料氧化行为的影响。结果表明ZrO2引入后,SiC陶瓷材料在1600℃开始氧化,表面生成了SiO2阻氧层阻止气体逸出,宏观上形成气泡,到1700℃材料氧化较严重,表面变得凹凸不平,出现较多空洞,并且存在一定程度的失重;1700℃氧化后,含ZrO2的材料表面和内部均有一定程度的氧化,表面的主要成分为SiO2,内部有部分SiC发生了氧化,两种材料氧化层呈梯度分布;在高温氧化过程中,ZrO2会发生由四方相向单斜相的相变,SiC对ZrO2的相变具有抑制作用,而材料氧化后生成的SiO2则无法抑制ZrO2的相变。
%K ZrO2
%K SiC陶瓷
%K 先驱体转化法
%K 氧化行为
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2012/V0/I8/45