%0 Journal Article
%T CdSe/TiO2复合薄膜的制备及光电性能研究
%A 薛晋波
%A 李雪方
%A 梁伟
%A 王红霞
%J 材料工程
%P 21-24
%D 2013
%R 10.3969/j.issn.1001-4381.2013.01.005
%X 以SeO2,CdCl2·5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。
%K 电化学沉积
%K TiO2纳米管
%K 沉积电压
%K CdSe纳米晶薄膜
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/10.3969/j.issn.1001-4381.2013.01.005