%0 Journal Article %T 电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能 %A 董凤 %A 陈少平 %A 胡利方 %A 樊文浩 %A 孟庆森 %J 材料工程 %P 35-40 %D 2015 %R 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.006 %X 采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接.利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布.采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试.结果表明AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu.扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节.当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa. %K 扩散连接 %K 电场 %K 扩散溶解 %K AZ31B/Cu %U http://jme.biam.ac.cn/CN/10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.006