%0 Journal Article
%T 磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析
%A 宋建全
%A 刘正堂
%A 于忠奇
%A 耿东生
%A 郑修麟
%J 材料工程
%D 2000
%X 利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究。结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义。
%K 沉积速率
%K 磁控反应溅射
%K 靶中毒
%K 原子百分比
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2000/V0/I10/15