%0 Journal Article
%T CVDSiC致密表面涂层制备及表征
%A 刘荣军
%A 张长瑞
%A 周新贵
%A 曹英斌
%A 刘晓阳
%J 材料工程
%P 3-6
%D 2005
%X 考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密。在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204g/cm3,显微硬度为HV4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求。
%K 化学气相沉积
%K SiC涂层
%K 制备工艺
%K 性能表征
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2005/V0/I4/3