%0 Journal Article
%T 环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
%A 王英龙
%A 张恒生
%A 褚立志
%A 丁学成
%A 傅广生
%J 材料工程
%P 247-250
%D 2008
%X 采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小。
%K 脉冲激光烧蚀
%K 纳米Si晶粒
%K 平均尺寸
%K 环境气体
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2008/V0/I10/247