%0 Journal Article
%T Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能
%A 邹凯
%A 李蓉萍
%A 刘永生
%A 田磊
%A 冯松
%J 材料工程
%P 35-41
%D 2015
%R 10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
%X 采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响。结果表明未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型。Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强。
%K ZnTe薄膜
%K Sb掺杂
%K 真空蒸发
%K 光学性能
%K 电学性能
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007