%0 Journal Article
%T MCNP5模拟γ能谱与吸收介质的相关性
%A 柏强
%A 方方
%A 王茜
%A 何健峰
%J 同位素
%P 44-47
%D 2011
%X 为了研究γ能谱与吸收介质的原子序数、密度及其厚度之间的关系，基于蒙特卡罗方法，应用MCNP5程序模拟40K发出的能量为1.46MeV的γ射线穿过12C、27Al、32S、56Fe、65Zn等吸收介质板后γ能谱的变化，归纳总结了γ能谱与吸收介质参数的相关性。模拟实验结果显示，吸收介质的原子序数对γ能谱低能部分影响较大，随着原子序数的增加低能峰峰高逐渐降低，同时峰位有向高能部分移动的趋势；介质密度和厚度都不会改变γ能谱峰位，只是改变谱峰高度和康普顿坪；随着介质密度的增加，γ能谱峰高和康普顿坪逐渐降低；吸收介质厚度变大时，低能峰峰高和康普顿坪有逐渐变高的趋势。
%K MCNP5
%K γ能谱
%K 吸收介质
%K 相关性
%U http://www.tws.org.cn/CN/abstract/abstract102.shtml