%0 Journal Article
%T 半导体器件在辐射作用下的电学输出性能研究
%A 王关全
%A 张华明
%A 罗顺忠
%A 胡睿
%A 高晖
%A 杨玉青
%A 魏洪源
%A 宋宏涛
%J 同位素
%D 2008
%X 半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件。采用加速器产生的不同能量电子束和63Ni源的β射线对硅基PIN结型器件进行辐照，在线测量了其电学输出性能。当电子束能量为18keV，可得到大于4%的能量转换效率；电子束能量为6keV，能量转换效率在0.16%～0.33%之间；活度2.96×108Bq的63Ni源片辐照的能量转换效率为0.1%左右。
%K 辐射伏特效应同位素电池
%K 半导体器件
%K 能量转换效率
%U http://www.tws.org.cn/CN/abstract/abstract43.shtml