%0 Journal Article
%T 氕氘在锆膜中的分布
%A 作者
%J 同位素
%P 151-151
%D 2003
%X 电阻蒸发制备的锆膜氢化后,利用二次离子质谱(SIMS)对其进行了深度剖析与成像分析,结果表明氕与氘在锆膜深度分布均匀,在过渡层中呈递减分布,并消失于过渡层与衬底的交界处。锆膜在n(H)n(D)=0.82的气氛中氢化时,会因同位素效应而使氕氘化锆膜中氕的含量高于氘的含量。锆膜表面若有铝、铁、钾以及钠等元素的污染时,会造成表面氕与氘分布不均匀,氕与氘的不均匀分布分别与铝及锆的不均匀分布有关。
%K 锆膜
%K 氕
%K 氘
%K 二次离子质谱
%K 深度剖析
%K 成像
%U http://www.tws.org.cn/CN/abstract/abstract696.shtml