%0 Journal Article
%T GaP:V~(3+)自旋允许谱的精细结构的研究
%A 马健
%A 杜懋陆
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 153-155
%D 2000
%X 在GaPV3+晶体中,对3A23T1(F),3A23T1(P)以及3A23T2(F)3组自旋允许跃迁均已在实验中测得了它们的精细结构.同时考虑静电、晶场和自旋轨道耦合作用,计算了GaPV3+的旋轨耦合分裂,理论计算与实验符合很好.此外,还对这3组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别,结果表明,3A23T1(P)跃迁的3条13874,13890和13946cm-1分别对应E′T′2,T1′和A′;3A23T
%K GaP
%K V3+
%K 自旋轨道耦合
%K 精细结构
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200002012