%0 Journal Article
%T Ga2O3掺杂的(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3无铅压电陶瓷的微观结构与性能研究
%A 付玲玲
%A 樊喜明
%A 孙海玲
%A 万洋
%A 游庆
%A 徐成刚
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 413-416
%D 2013
%X 采用传统陶瓷烧结工艺制备了(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3+x(质量分数)Ga2O3无铅压电陶瓷,研究了掺杂不同Ga2O3含量对(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响.研究结果表明x在0~2变化范围内,陶瓷为单一四方相的钙钛矿结构,具有良好的铁电性能;随着体系中Ga2O3含量的增加,陶瓷的最佳烧结温度逐渐降低;Ga2O3的掺杂导致陶瓷晶粒变小,陶瓷的铁电四方相-顺电立方相的转变温度即居里温度TC有少许上升,但陶瓷的压电性能明显劣化.
%K 无铅压电陶瓷
%K KNN
%K Ga2O3
%K 结构
%K 性能
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=201303022