%0 Journal Article
%T 溅射参数对FeˉSi化合物的相形成及结构的影响
%A 张晋敏
%A 谢泉
%A 梁艳
%A 曾武贤
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%D 2008
%X 对直流磁控溅射方法制备FeˉSi化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压，溅射功率和Ar气流量，在Si（100）衬底上沉积约100nm纯金属Fe膜，随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成FeˉSi化合物.由X射线衍射（XRD）对所形成的FeˉSi化合物的物相和晶体结构进行分析，给出了一组最优化的溅射工艺参数溅射Ar气压1.5Pa，溅射功率100W，溅射Ar气流量20SCCM.
%K 磁控溅射
%K 溅射参数
%K FeˉSi化合物
%K Xˉ射线衍射
%K 晶体结构
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=200805024