%0 Journal Article
%T 热处理对PZT薄膜织构形成的影响
%A 刘翠华
%A 王久石
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 114-117
%D 2008
%X 分别采用传统热处理（CFA）和快速热处理（RTA）对室温溅射在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基片上的Pb（Zr，Ti）O3（PZT）进行了晶化处理.结果表明RTA倾向于形成（111）占优取向，而CFA倾向于形成（100）占优取向.不同工艺条件下的取向选择来源于形核机制的不同.在CFA条件下，形核在薄膜表面的PbO（100）处发生，导致（100）占优取向;在RTA条件下，形核在基片附近的Pt3Pb（111）/PZT界面处发生，导致（111）占优取向.铁电性能测试表明，由RTA处理得到的具有（111）占优取向的PZT薄膜剩余极化达到35μC/cm2.
%K Pb（Zr
%K Ti）O3
%K 热处理
%K 薄膜取向
%K 铁电性
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200801028