%0 Journal Article
%T Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算
%A 董成军
%A 陈青云
%A 徐明
%A 周海平
%A 段满益
%A 胡志刚
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%D 2009
%X 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰\,反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
%K Si掺杂InN
%K 第一性原理
%K 电子结构
%K 光学性质
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=200906015