%0 Journal Article
%T V 2+ 在Al 2 O 3 中的局部缺陷的研究
%A 胡萍
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 198-201
%D 2009
%X 采用双zetad轨道模型，利用完全对角化的方法统一地解释了掺有V2+离子杂质的αˉAl2O3晶体的吸收光谱和电子顺磁共振谱，所得结果与实验符合得很好.不仅考虑到了掺杂后杂质的占位，而且还研究了掺入V2+离子后对氧配体的位置的影响，结果显示氧配体将沿径向远离V2+离子移动.
%K Al2O3晶体
%K V2+离子
%K 电子顺磁共振
%K 吸收光谱
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=200902015