%0 Journal Article
%T 六方GaN空位缺陷的电子结构
%A 介伟伟
%A 杨春
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%D 2010
%X 用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N，Ga0.750N，GaN0.875和GaN0.750等5种模型（Ga和N不同比例情况下的空位型GaN）的能带结构、差分电子密度、电子态密度，详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示，带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大，Ga空位是一种受主缺陷，N空位是施主缺陷；N空位的增加导致GaN电导率的下降.
%K 第一性原理
%K 六方GaN
%K 能带结构
%K 态密度
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=201006017