%0 Journal Article
%T Si/SiNx多层膜能带结构的理论研究
%A 徐明
%A 魏屹
%A 何贤模
%A 芦伟
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 545-548
%D 2010
%X 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子（电子和空穴）的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.
%K K-P模型
%K 多层膜
%K 能带结构
%K 量子限制效应
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=201004031