%0 Journal Article
%T 钨等离子体电子密度的研究
%A 肖培
%A 姜明
%A 周平
%A 吴双
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 534-538
%D 2012
%X 用SHML模型计算了温度从0.3keV到10.0keV、密度从0.001g/cm3到0.1g/cm3的钨等离子体的电子密度,研究了钨等离子体电子密度随温度、密度的变化规律.计算结果表明,钨的电子密度随等离子体的温度、密度增加而增大,并且出现了3次缓慢变化的平台.分析了平台出现的原因,特别是温度从6.5keV到10.0keV时出现的平台,是由于等离子体的温度太高,导致钨原子中的电子几乎全部电离所致.因此,选用钨元素作为聚变堆第一壁材料时,应尽量避免高Z钨进入氘、氚等离子体中,从而破坏聚变反应.
%K 钨等离子体
%K 电子密度
%K 聚变堆第一壁
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=201204021