%0 Journal Article
%T 高压下GaN的电子结构及光学性质的理论研究
%A 李应发
%A 令狐荣锋
%A 徐梅
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 730-734
%D 2013
%X 基于密度泛函理论,深入讨论了GaN(闪锌矿(B3)和氯化钠(B1))的晶体结构、相变压强和弹性性质.用等焓原理,获得B3→B1的相变压强为44.6GPa,与相关的理论结果吻合较好.随着压强的增加,GaN的静态介电常数ε1(0)逐渐减小.介电函数的实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)的第一个峰都向入射光子的高能方向移动,而且强度逐渐减弱.此外,压强对吸收光谱和折射率也有重要的影响.
%K 相变
%K 电子结构
%K 光学性质
%K GaN
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=201305017