%0 Journal Article
%T 自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响
%A 石德政
%A 王瑛
%A 代珍兵
%A 谢征微
%A 李玲
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 103-107
%D 2014
%X 基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结（NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层）中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻（TMR）效应之间的关系.研究结果表明当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR；在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.
%K 双自旋过滤磁性隧道结
%K Rashba自旋轨道耦合
%K 隧穿磁电阻
%K 隧穿电导
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=20140120