%0 Journal Article
%T 高压下XeF2结构和电子性质的第一性原理研究
%A 廖大麟
%A 李佐
%A 王朴
%A 程新路
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%P 907-910
%D 2013
%X 二氟化氙（XeF2）晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论(DFT),分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对XeF2晶体在0~120GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积(p-V)关系.结果表明，低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时，分析了高压下原子态密度的变化，得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系，表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征，对实验研究具有一定参考价值.
%K 二氟化氙
%K 态密度
%K 高压
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=20130619