%0 Journal Article
%T 垒层p型掺杂量的分布对InGnN基发光二极管性能的影响
%A 刘超
%A 李述体
%A 仵乐娟
%A 王海龙
%J 华南师范大学学报(自然科学版)
%P 0-0
%D 2013
%X 采用APSYS软件分析了InGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及作用.研究结果表明当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时，发光二极管的发光强度最大，大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因为优化垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.
%K 发光二极管
%K GaN
%K InGaN
%K 多量子阱
%U http://journal.scnu.edu.cn:8080/jwk_xbzrb/CN/abstract/abstract3073.shtml