%0 Journal Article
%T 半导体碳纳米管中的高能激子
%A 王俊杰
%A 高进伟
%A 赵红波
%J 华南师范大学学报(自然科学版)
%P 41-44
%D 2014
%R 10.6054/j.jscnun.2014.06.001
%X 利用单激发组态相互作用（ＳＣＩ）方法，对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算．结果表明，激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子，除了实验上常观测到的低能激子态之外，在高能处，甚至在连续能带中还出现了激子．部分高能激子来源于类似表面态的激发．
%K 发光二极管
%K GaN？
%K InGaN
%K 多量子阱
%K 碳纳米管
%K 组态相互作用
%K 激子
%K 吸收谱
%U http://journal.scnu.edu.cn:8080/jwk_xbzrb/CN/abstract/abstract2961.shtml